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 作成者 : 管理者
 作成日 : 2010/03/09 照会 : 90 |
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延世大の学生がiFデザイン賞受賞 |
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延世大の学生がiFデザイン賞受賞
延世大によると、ソン・イェスルさん（23）＝文献情報学科4年＝と中国人留学生のユン・フィさん（23）＝生活デザイン学科3年＝が、「残量が分かるUSBメモリー」を出品し、iFデザイン賞のコンセプトデザイン部門で本賞を受賞したという。
iFデザイン賞は、デザイン振興のための国際的な組織インダストリー・フォーラム・デザイン・ハノーファーが1953年から開催しているもので、ドイツのレッドドット・デザイン賞、米国のIDEA賞とともに、世界3大デザイン賞に挙げられる。今回は約5500作品が出品され、100作品に本賞が与えられた。本賞受賞作品は今月末まで、ハノーファー展示センターに展示される。
ソンさんとユンさんの受賞作品は、USBメモリー本体を指で押すと、残り容量が何ギガバイトか、発光ダイオード（LED）が数字で示すというもの。簡単な発想で製品の利便性を改善し、好評価を得た。ソンさんは、「コンピューターに挿入しないと残量が分からないというUSBメモリーの短所を改善しようと思って作った。よい結果が得られてうれしい」と語った。
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